طراحی و شبیه‌سازی حافظه ۸*۸ SRAM با نرم‌افزار کیدنس

بازدید: 1358 بازدید

در این پروژه هدف طراحی و ترسیم layout و شبیه‌سازی یک بلوک حافظه SRAM 8*8)، ۶۴) بیتی با نرم افزار کیدنس در تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر cmos می‌باشد. SRAM 8*8 طراحی شده شامل: سلول‌های حافظه استاتیک، مدار پیش شارژ، sense amplifier، مالتی پلکسر، گیت‌های NAND ،AND، NOR و یک دیکدر سطر می‌باشد. مهمترین بخش این طراحی سلول حافظه می‌باشد. در این پروژه از ساختار  Full CMOS 6T Cell برای آرایه‌های حافظه استفاده شده است.

ساختار گزارش پروژه:

گزارش این پروژه در نه فصل ارائه شده است. در فصل اول به بیان شرح مختصری از پروژه پرداختیم. در فصول دوم تا هشت نحوه طراحی و شبیه‌سازی بخش‌های مختلف SRAM 8*8 بیان شده و نتایج حاصل از این طراحی‌ها و همچنین پاسخ زمانی مدارات طراحی شده و تست‌های LVS و DRC ارائه گردیده است. در بخش نهم و انتهایی این گزارش به جمع‌بندی و تست‌نهایی SRAM 8*8 پرداختیم و نتایج شبیه‌سازی post layout، ابعاد بلوک نهایی، مقادیر توان استاتیک و دینامیک در فرکانس ۲۰۰ مگاهرتز و زمان‌های نوشتن و خواندن داده صفر و یک و همچنین پارامتر EDP را در جدول گنجانده‌ایم.

محتویات فایل: Word و Pdf شامل ۸۰ صفحه به همراه برنامه‌های کیدنس با تکنولوژی فایل ۱۸۰ نانومتر (schematic ، symbol ، layout)

خلاصه‌ای از گزارش پروژه به صورت رایگان در پایین صفحه قرار داده شده است

برای یادگیری نرم افزار کیدنس اینجا کلیک کنید


۱۰۰,۰۰۰ تومانAdd to cart

مطالعه بیشتر