توسط استاد فعلی نه متاسفانه. اگر شما کسی رو میشناسید که به لحاظ علمی سرامد باشند به ما معرفی بفرمایید با تشکر
a.hadavandkhani@gmail.com
–
سلام اموزش تکمیل نمیشه؟
اشکان مومنی
–
سلام
بله. این مباحث آماده ارائه است و انشاالله تا خرداد ماه در سایت بارگذاری خواهد شد.
امیر(مهمان)
–
با سلام
قصد تکمیل الکترومغناطیس و پرداختن به موضوعاتی نظیر قانون اهم و حل معادلات پواسون و .. که بصورت مشتقات جزیی هستند را دارید؟
اشکان مومنی
–
سلام
ضمن پوزش بابت تاخیر در پاسخ،
در مدل الکترون آزاد، اثرات شبکه بلوری نیمه رسانا بطور واضح در نظر گرفته نمی شود و این در حالی است که الکترون ها تحت تاثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی شبکه بلوری قرار دارند. بر اساس نظریه بلاخ (Bloch's Theorem)، الکترون تحت تاثیر یک پتانسیل دوره ای همانند یک الکترون در خلا حرکت می کند با این تفاوت که جرم الکترون آزاد (m) با یک جرم موثر (m*) جایگزین شده است. با تعریف جرم موثر بر مبنای وابستگی جرم حامل های بار به جهت حرکت آن ها در این مدل، اثرات برهم کنش الکترون ها با یون های شبکه بلوری نیز در نظرگرفته می شوند. به عبارت ساده می توان گفت که الکترون واقع در شبکه بلوری همانند یک ذره آزاد در خلا رفتار می کند که جرم آن به موقعیت مکانی آن در بلور وابسته است. بیشترین اختلاف بین مقدار جرم موثر و جرم واقعی الکترون مربوط به حالتی است که الکترون در نزدیکی یون های شبکه قرار دارد. بطور کلی، جرم موثر یک تانسور است که در واقع مولفه های آن به ساختار نواری بلور نیمه رسانا وابسته است. در مورد سیلیکون با توجه به ساختار نواری آن این مقدار تقریبا 1.09 جرم الکترون آزاد است.
موفق باشید
با سلام و احترام
یه سوال از فیزیک الکترونیک داشتم ممنون میشم راهنمایی بفرمایید
چرا جرم موثر الکترون در سیلیکون از جرم حالت سکون بیشتره؟
ایمان(مهمان)
–
استادگرامی فیلم ها به گونه ای تهیه شودکه هم برای مفاهیم وهم برای کنکورمناسب باشدمتشکرم اززحمات شما
ایمان(مهمان)
–
بسیار عالی متشکرم اززحمات شما بی صبرانه منتظر هستیم
اشکان مومنی
–
@غلامرضا بامی محمدی,
سلام
فیلم های اولیه که ارائه خواهد شد بیشتر بر اساس مبانی الکترومغناطیس و مفاهیم فیزیکی آن خواهد بود. البته سعی خواهد شد که منابع کاربردی مربوط به مدلسازی در متلب هم ارائه شود که برای دوستان مفید فایده واقع گردد.
سپاس
اشکان مومنی
–
@ایمان,
سلام
بله انشالله در اسرع وقت ارائه خوهد شد. البته متاسفانه به دلیل پاره ای از مشکلات به تعویق افتاد که امیدوارم زودتر بتونم تهیه کنم و در اختیارتون قرار بدم
سپاس
ایمان(مهمان)
–
باسلام خدمت استاد گرامی آیا فیلم های مغناطیس رو ارایه میکنید؟باتشکر
غلامرضا بامی محمدی(مهمان)
–
سلام
اگه میشه رویکرد پروژه محور داشته باشید مثلا مدلسازی یک عملگر الکترومغناطیس در متلب تا بتوان علاوه بر تئوری مغناطیس، پیادده سازی در متلب یا شبیه سازی با انسیس یا آباکوس مطرح بشود تا بتوان از ان برای تحقیقات دانشگاهی ایده گرفت. بنده دانشجو مکانیک هستم بسیار علاقه مند بودم که زمینه شبیه سازی عملگر مغناطیس تحقیق کنم ولی اصلا منبع روان، کاربردی و مختصر پیدا نکردم.
با تشکر فراوان
ایمان(مهمان)
–
باسلام خدمت استاد گرامی اگرممکنه هرجلسه از مغناطیس که اماده شد درسایت قرارش بدین از زحمات شما متشکرم
اشکان مومنی
–
@ایمان,
سلام.
بله، آموزش الکترومغناطیس هم در دست تهیه است که انشالله فیلم های آن تا پایان تابستان آماده شده و در سایت قرار داده خواهد شد.
ایمان(مهمان)
–
با سلام ایا شما اموزش مغناطیس هم دارید؟باتشکر
مدیر سایت
–
سلام
در گرایش کنترل تقریبا 250 به جز شریف تهران امیرکبیر مابقی دانشگاهها برای رشته کنترل
احمد زيني وندمقدم(مهمان)
–
سلام وقتتون بخیر باشه انشاالله.
با درصد ها چه رتبه ای میارم؟کجا مبتونم قبول بشم؟لطفا راهنماییم کنین؟
ریاضی 50
مدار50
کنترل39.6
مدیر سایت –
توسط استاد فعلی نه متاسفانه. اگر شما کسی رو میشناسید که به لحاظ علمی سرامد باشند به ما معرفی بفرمایید با تشکر
a.hadavandkhani@gmail.com –
سلام اموزش تکمیل نمیشه؟
اشکان مومنی –
سلام بله. این مباحث آماده ارائه است و انشاالله تا خرداد ماه در سایت بارگذاری خواهد شد.
امیر (مهمان) –
با سلام قصد تکمیل الکترومغناطیس و پرداختن به موضوعاتی نظیر قانون اهم و حل معادلات پواسون و .. که بصورت مشتقات جزیی هستند را دارید؟
اشکان مومنی –
سلام ضمن پوزش بابت تاخیر در پاسخ، در مدل الکترون آزاد، اثرات شبکه بلوری نیمه رسانا بطور واضح در نظر گرفته نمی شود و این در حالی است که الکترون ها تحت تاثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی شبکه بلوری قرار دارند. بر اساس نظریه بلاخ (Bloch's Theorem)، الکترون تحت تاثیر یک پتانسیل دوره ای همانند یک الکترون در خلا حرکت می کند با این تفاوت که جرم الکترون آزاد (m) با یک جرم موثر (m*) جایگزین شده است. با تعریف جرم موثر بر مبنای وابستگی جرم حامل های بار به جهت حرکت آن ها در این مدل، اثرات برهم کنش الکترون ها با یون های شبکه بلوری نیز در نظرگرفته می شوند. به عبارت ساده می توان گفت که الکترون واقع در شبکه بلوری همانند یک ذره آزاد در خلا رفتار می کند که جرم آن به موقعیت مکانی آن در بلور وابسته است. بیشترین اختلاف بین مقدار جرم موثر و جرم واقعی الکترون مربوط به حالتی است که الکترون در نزدیکی یون های شبکه قرار دارد. بطور کلی، جرم موثر یک تانسور است که در واقع مولفه های آن به ساختار نواری بلور نیمه رسانا وابسته است. در مورد سیلیکون با توجه به ساختار نواری آن این مقدار تقریبا 1.09 جرم الکترون آزاد است. موفق باشید
اشکان مومنی –
@ali,
ali (مهمان) –
با سلام و احترام یه سوال از فیزیک الکترونیک داشتم ممنون میشم راهنمایی بفرمایید چرا جرم موثر الکترون در سیلیکون از جرم حالت سکون بیشتره؟
ایمان (مهمان) –
استادگرامی فیلم ها به گونه ای تهیه شودکه هم برای مفاهیم وهم برای کنکورمناسب باشدمتشکرم اززحمات شما
ایمان (مهمان) –
بسیار عالی متشکرم اززحمات شما بی صبرانه منتظر هستیم
اشکان مومنی –
@غلامرضا بامی محمدی, سلام فیلم های اولیه که ارائه خواهد شد بیشتر بر اساس مبانی الکترومغناطیس و مفاهیم فیزیکی آن خواهد بود. البته سعی خواهد شد که منابع کاربردی مربوط به مدلسازی در متلب هم ارائه شود که برای دوستان مفید فایده واقع گردد. سپاس
اشکان مومنی –
@ایمان, سلام بله انشالله در اسرع وقت ارائه خوهد شد. البته متاسفانه به دلیل پاره ای از مشکلات به تعویق افتاد که امیدوارم زودتر بتونم تهیه کنم و در اختیارتون قرار بدم سپاس
ایمان (مهمان) –
باسلام خدمت استاد گرامی آیا فیلم های مغناطیس رو ارایه میکنید؟باتشکر
غلامرضا بامی محمدی (مهمان) –
سلام اگه میشه رویکرد پروژه محور داشته باشید مثلا مدلسازی یک عملگر الکترومغناطیس در متلب تا بتوان علاوه بر تئوری مغناطیس، پیادده سازی در متلب یا شبیه سازی با انسیس یا آباکوس مطرح بشود تا بتوان از ان برای تحقیقات دانشگاهی ایده گرفت. بنده دانشجو مکانیک هستم بسیار علاقه مند بودم که زمینه شبیه سازی عملگر مغناطیس تحقیق کنم ولی اصلا منبع روان، کاربردی و مختصر پیدا نکردم. با تشکر فراوان
ایمان (مهمان) –
باسلام خدمت استاد گرامی اگرممکنه هرجلسه از مغناطیس که اماده شد درسایت قرارش بدین از زحمات شما متشکرم
اشکان مومنی –
@ایمان, سلام. بله، آموزش الکترومغناطیس هم در دست تهیه است که انشالله فیلم های آن تا پایان تابستان آماده شده و در سایت قرار داده خواهد شد.
ایمان (مهمان) –
با سلام ایا شما اموزش مغناطیس هم دارید؟باتشکر
مدیر سایت –
سلام در گرایش کنترل تقریبا 250 به جز شریف تهران امیرکبیر مابقی دانشگاهها برای رشته کنترل
احمد زيني وندمقدم (مهمان) –
سلام وقتتون بخیر باشه انشاالله. با درصد ها چه رتبه ای میارم؟کجا مبتونم قبول بشم؟لطفا راهنماییم کنین؟ ریاضی 50 مدار50 کنترل39.6